郑有炓

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郑有炓
  郑有炓,
  半导体材料与器件物理专家。1935年10月1日生于福建大田。1957年毕业于南京大学物理系。现任南京大学物理系教授。2003年当选为中国科学院院士。
  从事新型半导体异质结构材料与器件研究。在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中,发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的光辐射加热方法和新技术。基于锗硅、Ⅲ族氮化物极化能带工程,发展了多种新器件。提出并实现了铁电体/氮化镓、铁磁体/半导体异质结构新体系。发现锗硅合金应变诱导有序化新结构,提出新模型。揭示Ⅲ族氮化物异质结构极化、二维电子气及其相关性质。观测到碲化镉/锑化铟异质结构二维电子气及占据子带规律,开拓II-VI/III-V族异质体系二维电子气研究领域。提出基于锗硅技术实现二氧化硅/硅界面量子限制硅纳米结构。
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相关院校:

同年(公元1935年)出生的名人:
王阳元 微电子学家,中国科学院院士 浙江省宁波
陆汝钤 中国科学院院士 江苏省苏州
柳百新 中国科学院院士 江苏省常州武进
黄琳 中国科学院院士 江苏省扬州
宋振骐 中国科学院院士 湖北省武汉汉阳区

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